RMDA25000
23-28 GHz的驱动放大器MMIC
先进的信息
描述
雷神RMDA25000是一种高效率的驱动器放大器，专为使用点来点无线电指向
多点通信， LMDS等毫米波应用。该RMDA25000是一个3级的GaAs
MMIC放大器采用雷声公司的先进的0.15
µ
米栅极长度功率PHEMT工艺和可被用
与其他驱动器或功率放大器一起使用，以达到所要求的总功率输出。
32分贝小信号增益（典型值）。
21 dBm的饱和功率输出（典型值）。
电路包含单个源通孔
芯片尺寸2.79毫米X 1.63毫米
特点
绝对
最大
评级
参数
正向直流电压（ + 5V典型值）
负的直流电压
同时（VD - VG）
正向直流电流
RF输入功率（从50
Ω
源）
工作底板温度
存储温度范围
热阻
（通道到背面）
符号
Vd
Vg
VDG
I
D
P
IN
T
C
T
英镑
R
jc
价值
+6
-2
+8
360
+10
-30至+85
-55到+125
44
单位
伏
伏
伏
mA
DBM
°C
°C
° C / W
电动
特征
（在25℃ ）
50
Ω
系统， VD = + 5 V ，
静态电流
（ IDQ ）= 250毫安
参数
频带
门电源电压
1
（ VG ）
增益小信号
增益变化对比
频率
输出功率在1分贝
压缩
电源输出饱和：
（引脚= -5 dBm的）
民
23
27
典型值
-0.4
32
+/-2
22
23
最大
28
36
单位
GHz的
V
dB
dB
DBM
DBM
参数
漏电流在
引脚= -5 dBm的
漏电流在
P1 dB的压缩
功率附加效率
（ PAE ） ：在P1dB为
OIP3
输入回波损耗
输出回波损耗
民
典型值
250
270
10
29
10
8
最大
单位
mA
mA
%
DBM
dB
dB
3
7
应用
信息
注意：这是一个ESD敏感器件。
芯片载体材料应选择为具有扩张和高导热的砷化镓兼容的热膨胀系数
传导率，例如铜钼或铜钨。芯片载体应进行机械加工，平收，
镀金在镍和应能经受325 ℃下进行15分钟。
模具附件电力设备应利用黄金/天（ 80/20 ）共晶合金钎料，并应避免氢气
环境PHEMT器件。需要注意的是在芯片的背面是镀金的，并用作RF和DC
地面上。
这些GaAs器件应小心处理，并储存在干燥的氮气环境中，以防止污染
的接合面。这些都是静电敏感器件，应使用适当的预防措施，包括处理
使用防静电腕带。所有的芯片粘接和导线/带式连接的设备必须良好接地，
防止通过该装置的静电放电。
推荐使用引线键合使用3密耳宽， 0.5毫米厚的金丝带的长度越短实用
允许适当的缓解压力。在RF输入和输出键应该是典型的0.012 “长
对应于芯片和衬底材料之间的通常为2密耳的间隙。
注意：
1.典型的范围内，负栅极电压为-0.9至0.0V设定为250 mA典型IDQ 。
特色性能数据和规格如有变更，恕不另行通知。
www.raytheon.com/micro
修订后的2001年4月16日
第1页
雷神公司射频器件
362洛厄尔街
安多弗， MA 01810
RAYTHEON [ RAYTHEON COMPANY ]
