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MGP50-1R0-G 参数 Datasheet PDF下载

MGP50-1R0-G图片预览
型号: MGP50-1R0-G
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内容描述: 金属膜电阻器MELF [METAL FILM MELF RESISTORS]
分类和应用: 电阻器膜电阻器金属膜电阻器
文件页数/大小: 1 页 / 40 K
品牌: RCD [ RCD COMPONENTS INC. ]
   
金属膜电阻器MELF
电阻电容线圈延迟线
MGP系列
-
保形涂层
MHM系列
-
气密密封
业界最广泛的金属膜MELF resistors-选择
.1W到.5W , 0.1Ω到22MΩ , 0.1%至5 % ,为10ppm至100ppm的/℃的
成本低,交货快(可
SWIFT
TM
程序)
精确的性能,优良的环境稳定性
MHM系列气密密封是行业第一!
RoHS指令
Term.W是
RoHS指令
柔顺
& 260℃
兼容
选项
选项​​S:增加功率(参见下图)
选项​​P:提高脉冲能力
选择F:防火涂料(每UL94V0 )
可...老化,特殊的附加选项几十
标记,非标准值,高频率的设计,
配套装置,温度。敏感,零欧姆跳线等。
自定义组件的RCD特色!
金属膜的性能,实惠的价格!
RCD系列MGP MELF *电阻采用精密薄膜技术
这是固有的低电感,低噪声和高稳定
即使长时间。重焊镀保证
优良的可焊性和保质期长。 MHM系列报价
密封保护环境,尽最大的
可靠性。 MGP系列部分颜色条带状, MHM是个字母
merically打上性和耐受性。 *晶圆电阻=金属
电极面键合的(圆柱形组件)。
L
W
D
英寸[毫米]
特定网络阳离子
RCD
TYPE
MGP45
MGP50
MGP55
MHM55
3
瓦数
( STD )
.1W
.125W
.25W
.125W
瓦数
(选件'S' )
.15W
.25W
.5W
.25W
电压
等级
1, 2
100V
200V
250V
250V
阻力
范围
2
1Ω至1M
0.18
10米
0.1
至22M
10
到200K
电介质
实力
2
200V
250V
350V
350V
L±.012 [.3]
.079 [2.0]
.135 [3.4]
.232 [5.9]
.275 [7.0]
t
D±.008 [.2]
.044 [1.12]
.057 [1.45]
.085 [2.15]
.120 [3.05]
W(分钟)
.012 [.3]
.02 [.5]
.024 [.6]
.050 [1.27]
3初步
T(最大)
2
.003 [.076]
.004 [.1]
.006 [.15]
.006 [.15]
1最大工作电压来确定E =
√ ( PXR )
不超过所列出的值。
2 ,请咨询工厂非标系列
性能
TC R( 10 & 15ppm的阿瓦伊升定制巴斯S)
欧普ê RA TI吴特MP ê RA TURE吴镭ê
P 2 O WE R D E RA TI纳克B○已经7 0 ℃,
S 0劳工处电子R A B I丽吨Y( 5秒权证@ 2 3 0 ° C)
乌拉TI N RE的I Ø插件的TA NC的E(d RY )
何S RT -钛奥维我RLO一D( 5秒权证。 @ 2 0.5 X
PO WE R没有吨至e XC EED 2× VO LTA GE RA TI NG )
回复的I秒。吨Ø S 0劳工处电子ř他一个T( 2 6 0 ℃, 5秒权证。 )
特MP ê RA TURE Ç YC李吴( -5 0 °C至+ 1 2 0 ° C)
莫伊Sture专门(MI LS td202 M106 &米LR- 55342 )
M GP发E ř即S * M·H M传ř即S *
1 0 0 P P M /°C的的TD , 1 0 0 P P M /°C的的TD ,
2 5 & 5 0 PPMA VA白细胞介素2 5 & 5 0 PPMA VA金正日
- 5 5 + 1 5 5℃
1 .1 8 % /° C
9 5 % C 0已经RA克é
1 0 ,0 0 0 M
0 .2 5
%
( 0 0.5 %欧普t.S )
0 .2 %
0 .5 %
0 .5 % * *
0 0.5 %(1%欧普t.S )
- 6 5 ​​+ 1 7 5℃
脉冲耐压图表
(增加脉冲电平利用。 )
1000
峰值功率(瓦特)
.9 5 % /° C
9 5 % C 0已经RA克é
1 0 ,0 0 0 M
.0 2 5 %
( 0.0 5 %欧普t.S )
.0 2 %
.0 2 %
.0 5 % * *
0.1% ( 0.2 %欧普t.S )
100
10
MGP55SP
MGP50SP
MGP45SP
1
1uS
10uS
100uS
1mS
脉冲持续时间
10mS
100mS
1。· A D L I FE ( 1 0 0 0豪URS RA TE ð P 2 O WE R )
*上市的典型表现水平标准的产品,从10Ω到1M 。
为扩展范围和修改设计的性能水平向厂家咨询。
**为了保证最大的可靠性,应小心,以避免潜在来源
离子污染
使用注意事项1:温升(T
HS
)
经t
HS
SM的电阻通过很大程度上取决于热传导依赖
终止端,可显著具体费用取决于PCB
材料和布局(即焊盘尺寸,跟踪区域中,铜的厚度,空气流动,
等)。典型的温度。崛起在全额定功率为30〜50 ° C( Opt.S = 50〜70 ° C) 。
应用说明2:电阻的选择
MGP电阻器是理想的半精SM的应用程序,并
比一般薄膜的矩形芯片更经济。少
关键应用,考虑低成本MCF碳膜电阻MELF 。
为提高性能,特别是在高湿度
(如海军或热带环境) ,请考虑MHM系列。如果平
芯片是首选,考虑BLU系列(精密)或MC系列(半
精密/通用) 。对于更高功率,考虑MPF系列。
脉冲的能力依赖于水库。值,波形,重复率
目前,图表等是选项的一般指南。 P脉冲性的版本,
单脉冲,峰值电压等级不超过1KV的MGP55SP ,
700V MGP50SP和350V MGP45SP 。对于标准的最大脉冲能力
配件(W / O Opt.P )小于60 % 。以提高性能和可靠性,
30-50 %的脉冲降额系数,建议(或者频繁的大
脉冲,高的值,等等)。咨询RCD申请援助。确认
选择通过在最坏的情况下评估。
P / N指示:
MGP50
- 1002 - F T
W
RCD类型
选项:
S, P,F (离开,如果STD空)
RESIS 。代码:
1%:
3 signif 。数字&倍增,
例如R100 = 0.1Ω , 1R00 = 1Ω , 10R0 = 10Ω , 1000 = 100Ω , 1001 = 1KΩ 。
RESIS 。码的2% - 10% :
2 signif 。数字&倍增,
例如R10 = 0.1Ω , 1R0 = 1Ω , 100 = 10Ω , 101 = 100Ω , 102 = 1K , 103 = 10K 。
公差:
F = 1 % (标准)中,B = 0.1% ,C = 0.25 % ,D = 0.5 % ,G = 2% ,J = 5%
包装
: B =散装, T =卷带卷&
可选TC :
10 =为10ppm , 25 = 25ppm的, 50 = 50PPM (如果留下空白STD )
终止:
W =无铅,Q =锡/铅(留空如果任是可以接受的)
RCD零部件公司,
520 E.Industrial公园博士,曼彻斯特,新罕布什尔州,美国03109
联系电话: 603
-
669
-
0054传真: 603
-
669
-
5455电邮: sales@rcdcomponents.com
FA031D
购买此产品时是按照GF- 061 。规格如有变更,恕不另行通知。
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