RECTRO ñ
SEM ICO国防大学CTO ř
TECHN ICAL SPECIFICATIO ñ
1N4150
1N4150信号二极管
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
项
符号
评级
单位
反向电压
VR
50
V
反向恢复
TRR
4
ns
时间
功耗
P
500
mW
3.33mW / ° C（ 25 ° C）
正向电流
IF
200
mA
结温。
Tj
-65〜 200
°C
储存温度。
TSTG
-65〜 200
°C
机械数据
项
包
例
铅/完成
芯片
物料
DO-35
密封的玻璃
双螺柱/锡电镀
玻璃钝化
26 MIN
在米利姆ETERS昏暗ensions
外形尺寸（ DO- 35
)
DO-35
26 MIN
0.457
DIA 。
0.559
4.2
M AX 。
2.0
DIA 。
M AX 。
电气特性（Ta = 25℃）
评级
击穿电压
IR = 5.0uA
峰值正向浪涌电流PW = 1秒。
最大正向电压
IF = 200毫安
最大反向电流
VR = 50V
VR = 20V ， TJ = 150℃
最大结电容
VR = 0中，f = 1 MHz的
最大反向恢复时间
IF = -IR = 10-200mA ， 0.1 IF
符号
BV
IFsurge
VF
IR
评级
50
1.0
1.0
单位
V
A
V
uA
0.10
100
Cj
2.5
TRR
4
ns
pF
RECTRON美国
1315约翰·里德苑，工业，CA 91745
联系电话： （ 626 ） 333-3802传真： （ 626 ） 330-6296
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