技术规格
半导体
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
RECTRON
2SD596
特点
*功耗
P
CM
:
0.2
W（环境温度Tamb = 25
O
C)
*集电极电流
I
CM
:
0.7
A
*集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
30
V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
C至+150
O
C
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
（ @ TA = 25℃除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 100mA时我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 1mA时，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 100mA时我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= 30V ，我
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
= 5V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= 1V ，我
C
= 100毫安）
直流电流增益（V
CE
= 1V ，我
C
= 700毫安）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 700毫安，我
B
= 70毫安）
基射极电压（V
CE
= 6V ，我
C
= 10毫安）
过渡频率（V
CE
= 6V ，我
C
= 10毫安）
*脉冲奶嘴：脉冲宽度<350ms ，占空比<2 ％ 。
分类h及
FE
秩
范围
DV1
110-180
DV2
135-220
DV3
170-270
DV4
200-320
DV5
250-400
2006-3
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
V
CE （ SAT ）
*
V
BE（上）
*
f
T
民
30
25
5
-
-
110
50
-
0.6
140
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
400
-
0.6
0.7
-
单位
V
V
V
mA
mA
-
-
V
V
兆赫
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
