BAT42
硅平面肖特基二极管
特点
*快速切换装置（T
RR
<4.0nS)
* DO- 35封装（ JEDEC ）
*通孔设备类型安装
*密封式玻璃
*压接施工
*所有外部表面耐腐蚀和导线
很容易焊
.022 (0.56)
DIA 。
.018 (0.46)
1.02 (26.0)
分钟。
DO-35
.165 (4.2)
马克斯。
.079 (2.0)
马克斯。
1.02 (26.0)
分钟。
DIA 。
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
最大RATINGES
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
评级
最大正向Comtinuous反向电压
最大正向电流Comtinuous @ T A = 25℃
O
o
符号
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
BAT42
30
200
500
4
200
125
-65到+ 150
单位
V
毫安
毫安
安培
mW
O
最大峰值正向电流@ tp<1s ， d<0.5
正向电流浪涌@ tp<10ms
最大功率耗散@ T A = 65℃
O
P
D
T
J
T
英镑
o
结温
存储温度范围
C
C
O
电气特性
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（I
R
=100mA)
反向电压漏电流（V
R
=25V,T
J
=25 C)
O
(V
R
=25V,T
J
=100 C)
O
符号
V
（ BR ）R
I
R
分钟。
30
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
0.5
100
0.40
0.65
1.0
-
5
单位
V
mA
(I
F
=10mA)
正向电压脉冲Tesx tp<300ms ， d<2 ％ （我
F
=50mA)
(I
F
=200mA)
二极管电容（V
R
=1,f=1MHz)
尊恢复时间（我
F
=I
R
=10mA,I
RR
=1mA,R
L
=100W)
C
D
-
-
V
F
-
-
-
7.0
-
V
pF
nS
2006-3
t
rr
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
