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    BC558C 参数 Datasheet PDF下载

    BC558C图片预览
    型号： BC558C
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    内容描述： PNP硅平面外延晶体管 [PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 89 K
    品牌： RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BC558C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC558C的Datasheet PDF文件第3页  
    BC556,A,B,C
    BC557,A,B,C
    BC558,A,B,C
    PNP硅平面外延晶体管
    1
    2
    3
    TO- 92封装SMD
    绝对最大额定值
    （ TA = 25
    o
    C除非另有说明）
    符号
    BC556
    描述
    V
    首席执行官
    65
    集电极 - 发射极电压
    V
    CES
    收藏家Emmitter电压
    80
    V
    CBO
    集电极 - 基极电压
    80
    V
    EBO
    5
    发射极电压
    I
    C
    连续集电极电流
    I
    CM
    PEAK
    I
    EM
    发射极电流 - 峰值
    I
    BM
    基本电流 - 峰值
    总功率耗散高达
    T
    AMB
    = 25
    o
    C
    STORGE温度
    结温
    热阻
    从结点到环境
    P
    合计
    TSTG
    Tj
    R
    号（j -a）的
    BC557
    45
    50
    50
    5
    100
    200
    200
    200
    500
    -55到+150
    150
    250
    BC558
    30
    30
    30
    5
    单位
    V
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    o
    o
    C
    C
    o
    C / W
    www.rectron.com
    1第3

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