技术规格
半导体
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
RECTRON
BCW61C
特点
*功耗
P
CM
:
0.25
W（环境温度Tamb = 25
O
C)
SOT-23
机械数据
*
*
*
*
*
集热器
3
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
BASE
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60H
Z
，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（ @ TA = 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总功耗
结温和存储温度
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -10mA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -1mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -10mA ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -32V ，我
E
=0)
集电极截止电流（V
EB
= -4V ，我
E
=0)
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ）
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA ）
直流电流增益（V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
= -0.25mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -50mA ，我
B
= -1.25mA ）
基射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
= -0.25mA ）
基射极饱和电压（I
C
= -50mA ，我
B
= -1.25mA ）
基射极电压（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ）
基射极电压（V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA ）
基射极电压（V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA ）
过渡频率（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MH
Z
)
集电极电容（V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MH
Z
)
发射极电容（V
EB
= -0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MH
Z
)
记号
注1 ： "Fully ROHS compliant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
f
T
Cc
Ce
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
,T
英镑
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
民
-32
-32
-5
-
-
40
250
100
-0.06
-0.12
-0.6
-0.68
-
-0.6
-
100
-
-
BC
2006-3
价值
-32
-32
-5
-0.1
0.25
-55 - 150
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.55
-
-0.72
-
4.5
11
最大
-
-
-
-0.02
-0.02
-
460
-
-0.25
-0.55
-0.85
-1.05
-
-0.75
-
-
-
-
单位
V
V
V
A
W
oC
单位
V
V
V
mA
mA
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
MH
Z
pF
pF
电气特性
（ @ TA = 25
o
C除非另有说明）
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
