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DB105S 参数 Datasheet PDF下载

DB105S图片预览
型号: DB105S
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内容描述: 单相玻璃钝化硅桥式整流器 [SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER]
分类和应用: 整流二极管桥式整流二极管
文件页数/大小: 2 页 / 24 K
品牌: RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
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RECTRON
半导体
技术规格
DB101S
THRU
DB107S
单相玻璃钝化
硅桥式整流器
电压范围50到1000伏特电流1.0安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
浪涌过载额定值 - 80安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价,利用模压
玻璃钝化装置
极性符号上成型体
安装位置:任意
重量: 1.0克
DB -S
.310 (7.9)
.290 (7.4)
.255 (6.5)
.245 (6.2)
机械数据
*环氧:设备具有UL可燃性分类94V- 0
* UL认证认可组件目录,文件# E94233
.042 (1.1)
.038 (1.0)
.013 (.330)
.003 (.076)
.410 (10.4)
.360 (9.4)
.009
(9.4)
.060 (1.524)
.040 (1.016)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
.335 (8.51)
.320 (8.13)
.135 (3.4)
.115 (2.9)
.205 (5.2)
.195 (5.0)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在T
A
= 25
o
C除非另有说明)
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
工作和存储温度范围
I
FSM
T
J,
T
英镑
50
-55到+ 150
安培
0
o
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
安培
C
电气特性
(在T
A
= 25
o
C除非另有说明)
特征
每桥最大正向电压降
元素在1.0A DC
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
注:后缀“-S ”表面贴装DIP大桥。
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
符号
V
F
DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S单位
1.1
5.0
0.5
uAmps
毫安
2001-4
I
R