DB106 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DB106
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内容描述：	单相玻璃钝化硅桥式整流器 [SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 25 K
品牌：	RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]

RECTRON

半导体

技术规格

DB101

THRU

DB107

单相玻璃钝化

硅桥式整流器

电压范围50到1000伏特电流1.0安培

特点

适合自动化插入

浪涌过载额定值 - 80安培峰值

理想的印刷电路板

可靠的低造价，利用模压

玻璃钝化装置

极性符号上成型体

安装位置：任意

重量： 1.0克

DB-1

特点

*环氧： UL可燃性分类94V- 0

*通过UL认证的认证组件目录下，文件＃ E94233 。

.255 (6.5)

.245 (6.2)

.350 (8.9)

.300 (7.6)

.335 (8.51)

.320 (8.12)

.135 (3.4)

.115 (2.9)

.165 (4.2)

.155 (3.9)

.060

(1.5)

最大额定值和电气特性

在25℃的环境温度额定值除非另有规定。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％。

.020

(0.5)

.205 (5.2)

.195 (5.0)

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值

（在T

= 25

C除非另有说明）

评级

最大的经常峰值反向电压

最大RMS桥输入电压

最大直流阻断电压

最大正向平均输出电流在T

= 40 C

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）

工作和存储温度范围

FSM

英镑

-65到+ 150

安培

符号

RRM

RMS

DB101

DB102

100

DB103

200

140

200

DB104

400

280

400

1.0

DB105

600

420

600

DB106

800

560

800

DB107

1000

700

1000

单位

伏

安培

电气特性

（在T

= 25

C除非另有说明）

特征

每桥最大正向电压降

元素在1.0A DC

每桥最大正向电压降

每个元素阻断电压DC

= 25

= 125 C

符号

DB101

DB102

DB103

DB104

1.1

10.0

0.5

DB105

DB106

DB107

单位

伏

uAmps

毫安

1998-8

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