技术规格
半导体
SOT- 23-3L数字晶体管
晶体管（PNP）
RECTRON
DTA114TKA
特点
*内置偏置电阻使逆变器的配置
电路没有连接外部输入电阻。 （见equi-
价电路） 。
*薄膜电阻与合作的偏置电阻conisit
mplete隔离，无需连接外部输入。
他们也有几乎完全EL-优势
亚胺化寄生效应。
f .037 (0.95)
SOT-23-3L
.016 (0.40)
(3)
(2)
*仅在开/关的条件需要进行操作mark-要设置
荷兰国际集团装置的设计容易。
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.009克
(1)
.111 (3.02)
.119 (2.82)
.079 (2.00)
.067 (1.70)
.059 (1.50)
.071 (1.80)
f .028 (0.70)
0.116(2.95)
0.104(2.65)
.008 (0.10)
R.002
(.05)
.004 (0.20)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
(2)
(1)
（ 1 ）基本
（2）发射
（ 3 ）集电极
O
.049(1.25)
.041(1.05)
.004(0.10)
.000(0.00)
(3)
最大RATINGES
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
评级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极连续电流
集电极耗散
结温和存储温度
o
o
尺寸以英寸（毫米）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
,T
英镑
价值
-50
-50
-5
-100
200
-55到+150
.012 (0.30)
机械数据
单位
V
V
V
mA
mW
o
C
电气特性
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -50mA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -1mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -50mA ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -50V ，我
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
= -4V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -1mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA ）
Transistion频率（V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA中，f = 100MHz时）
输入电阻
注： "Fully ROHS compliant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
分钟。
-50
-50
-5
-
-
100
-
-
7
典型值。
-
-
-
-
-
250
-
250
10
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
600
-0.3
-
13
V
兆赫
KW
2006-3
单位
V
V
V
mA
mA
R
1
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
