技术规格
半导体
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
RECTRON
FMMT591
*功耗
P
CM
:
0.5
W（环境温度Tamb = 25
O
C)
*集电极电流
I
CM
:
-1
A
*集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-80
V
*操作和存储结温范围
T
J
,T
英镑
: -55
O
C至+150
O
C
特点
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
标记： 591
BASE
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60H
Z
，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
（ @ TA = 25
O
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -100mA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -10mA ，我
B
= 0） （注1）
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -100mA ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -60V ，我
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
= -4V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -1mA ）
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -500mA ）（注1 ）
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -1A ）（注1 ）
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -2A ）（注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA ）（注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -1A ，我
B
= -100mA ）（注1 ）
基射极饱和电压（I
C
= -1A ，我
B
= -100mA ）（注1 ）
基极 - 发射极电压（ （Ⅴ
CE
= -5V ，我
C
= -1A ）（注1 ）
过渡频率（V
CE
= -10V ，我
C
= -50mA ， F = 100MH
Z
)
集电极输出capactitance （V
CB
= -10V ， F = 1MH
Z
)
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
h
FE(4)
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
民
-80
-60
-5
-
-
100
100
80
15
-
-
-
-
150
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-
300
-
-
-0.3
-0.6
-1.2
-1
-
10
单位
V
V
V
mA
mA
-
-
-
-
V
V
V
V
MH
Z
pF
2006-3
注1 ：脉冲条件下，脉冲宽度= 300毫秒，占空比< 2 ％下测得的。
2 ： "Fully ROHS compliant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
