RECTRON
半导体
技术规格
HER201
THRU
HER208
高效率整流
电压范围50到1000伏特电流2.0安培
特点
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低功耗，高效率
低漏
低正向压降
高电流能力
高速开关
高浪涌能力
高可靠性
DO-15
机械数据
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*
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*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.4克
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
o
在T
A
= 50 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型结电容（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
英镑
30
-65到+ 150
HER201 HER202 HER203 HER204 HER205 HER205P HER206 HER207 HER208
单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
2.0
60
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培
安培
20
pF
0
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
最大正向电压在2.0A DC
反向电流最大DC
额定阻断电压DC牛逼
A
= 25
o
C
满载最大反向电流
平均而言，完整周期.375 “设计（9.5mm ）引线长度在T
L
= 55
o
C
最大反向恢复时间（注1 ）
注： 1。测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= -1.0A ，我
RR
= -0.25A
2.测得1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
符号
V
F
HER201 HER202 HER203 HER204 HER205 HER205P HER206 HER207 HER208
单位
o
1.0
1.3
5.0
1.0
1.70
伏
uAmps
uAmps
I
R
100
TRR
50
75
纳秒
2001-5
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
