MMBTA56
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
特点
*功耗
P
CM
:
0.225
W(Tamb=25
O
C)
*集电极电流
I
CM
:
-0.5
A
*集电极 - 基极电压
V
CBO
:
-80
V
*操作和存储结温范围
T
J
,T
英镑
:
-55
O
C至+150
O
C
集热器
3
SOT-23
*
*
*
*
*
机械数据
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
BASE
2
辐射源
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
o
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -100微安，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -1mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -100微安，我
C
= 0)
收藏家切 - 关断电流（V
CB
= -80V ，我
E
=0)
收藏家切 - 关断电流（V
CE
= -60V ，我
B
=0)
直流电流增益（V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -100毫安，我
B
= -10mA ）
基地 - 发射极电压（V
CE
=-1V,I
C
=-100mA)
跃迁频率（V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA ， F = 100MHz时）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
民
-80
-80
-4
-
-
100
-
-
50
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-
-0.25
-1.2
-
-
V
V
兆赫
单位
V
V
V
o
f
T
记号
注：“完全符合RoHS标准” ， “ 100 ％镀锡（无铅） ” 。
2GM
2007-3
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
