RECTRON
半导体
技术规格
R1200
THRU
R2000
高压硅整流
电压范围1200年至2000年伏特电流0.2〜 0.5安培
特点
*
*
*
*
低成本
低漏
低正向压降
高电流能力
DO-41
机械数据
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂：设备具有UL可燃性分类94V -O
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.35克
1.0 (25.4)
分钟。
.034 (0.9)
DIA 。
.028 (0.7)
.205 (5.2)
.166 (4.2)
.107 (2.7)
.080 (2.0)
DIA 。
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
1.0 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
o
在T
A
= 50 C
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型结电容（注）
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
英镑
R1200
1200
840
1200
R1500
1500
1050
1500
500
30
30
-65到+ 175
R1800
1800
1260
1800
R2000
2000
1400
2000
200
单位
伏
伏
伏
毫安
安培
pF
0
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
最大正向电压在0.5A / 0.2A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
@T
A
= 25
o
C
o
@T
A
=100 C
符号
V
F
I
R
R1200
R1500
2.0
5.0
50
30
uAmps
2001-6
R1800
R2000
3.0
单位
伏
uAmps
o
满载最大反向电流平均值，完整周期
.375 “设计（9.5mm ）引线长度在T
L
= 75
o
C
注：测得1 MH
Z
并施加4.0伏的反向电压。
RECTRON [ RECTRON SEMICONDUCTOR ]
