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2SK1835 参数 Datasheet PDF下载

2SK1835图片预览
型号: 2SK1835
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 105 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1835
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
Reverse Drain Current I
DR
(A)
4
Pulse Test
3
2
1
V
GS
= 15 V
0,–5 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
0.5
Tc = 25°C
1.0
0.3
0.2
0.1
θch
– c(t) =
γs(t) • θch
– c
θch
– c = 1.0°C / W, Tc = 25°C
ot
1 sh
Pul
se
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
10
µ
P
DM
T
PW
PW
D=
T
0.01
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T
R
L
Vin
10 V
50
Vin
Vout
10 %
Waveforms
90 %
10 %
10 %
.
.
V
DD
=
30 V
90 %
td (on)
tr
90 %
td (off)
tf
REJ03G0978-0400 Rev.4.00 Jun 04, 2008
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