欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HM628512CLP-7 参数 Datasheet PDF下载

HM628512CLP-7图片预览
型号: HM628512CLP-7
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 的4M SRAM( 512千字“ 8比特)的 [4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 19 页 / 109 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第12页浏览型号HM628512CLP-7的Datasheet PDF文件第13页  
HM628512C Series  
AC Characteristics (Ta = –20 to +70°C, VCC = 5 V ± 10%, unless otherwise noted.)  
Test Conditions  
Input pulse levels: 0.8 V to 2.4 V  
Input rise and fall time: 5 ns  
Input and output timing reference levels: 1.5 V  
Output load: 1 TTL Gate + CL (100 pF) (HM628512C-7)  
1 TTL Gate + CL (50 pF) (HM628512C-5)  
(Including scope & jig)  
Read Cycle  
HM628512C  
-5  
-7  
Min  
70  
10  
5
Parameter  
Symbol  
tRC  
Min  
55  
10  
5
Max  
Max  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
Read cycle time  
Address access time  
tAA  
55  
55  
25  
70  
70  
35  
Chip select access time  
tCO  
Output enable to output valid  
Chip selection to output in low-Z  
Output enable to output in low-Z  
Chip deselection to output in high-Z  
Output disable to output in high-Z  
Output hold from address change  
tOE  
tLZ  
2
tOLZ  
tHZ  
tOHZ  
tOH  
2
0
20  
20  
0
25  
25  
1, 2  
1, 2  
0
0
10  
10  
7