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    2SA1741 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1741图片预览
    型号： 2SA1741
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 286 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SA1741的Datasheet PDF文件第8页  
    2SA1741
    电气特性（Ta = 25 ° C）
    °
    参数
    集电极到发射极电压
    集电极到发射极电压
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    直流电流增益
    集电极饱和电压
    集电极饱和电压
    基本饱和电压
    基本饱和电压
    集电极电容
    增益带宽积
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CEX （ SUS）的
    I
    CBO
    I
    CER
    I
    CEX1
    I
    CEX2
    I
    EBO
    h
    FE1
    *
    h
    FE2
    *
    h
    FE3
    *
    V
    CE(sat)1
    *
    V
    CE(sat)2
    *
    V
    BE(sat)1
    *
    V
    BE(sat)2
    *
    C
    ob
    f
    T
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    条件
    I
    C
    =
    −3.0
    A，I
    B
    =
    −0.3
    A，L = 1毫亨
    I
    C
    =
    −3.0
    A，I
    B1
    =
    −I
    B2
    =
    −0.3
    A,
    V
    BE （OFF）的
    = 1.5 V，L = 180
    µ
    H，钳位
    V
    CB
    =
    −60
    V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    =
    −60
    V ，R
    BE
    = 50
    Ω,
    TA = 125°C
    V
    CE
    =
    −60
    V, V
    BE （OFF）的
    = 1.5 V
    V
    CE
    =
    −60
    V, V
    BE （OFF）的
    = 1.5 V,
    TA = 125
    °C
    V
    EB
    =
    −5.0
    V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    =
    −2.0
    V，I
    C
    =
    −0.5
    A
    V
    CE
    =
    −2.0
    V，I
    C
    =
    −1.0
    A
    V
    CE
    =
    −2.0
    V，I
    C
    =
    −3.0
    A
    I
    C
    =
    −3.0
    A，I
    B
    =
    −0.15
    A
    I
    C
    =
    −4.0
    A，I
    B
    =
    −0.2
    A
    I
    C
    =
    −3.0
    A，I
    B
    =
    −0.15
    A
    I
    C
    =
    −4.0
    A，I
    B
    =
    −0.2
    A
    V
    CB
    =
    −10
    V，I
    E
    = 0中，f = 1.0兆赫
    V
    CE
    =
    −10
    V，I
    C
    =
    −0.5
    A
    I
    C
    =
    −3.0
    A，R
    L
    = 17
    Ω,
    I
    B1
    =
    −I
    B2
    =
    −0.15
    A，V
    CC
    ≅ −50
    V
    参考测试电路。
    130
    80
    0.3
    1.5
    0.3
    100
    100
    60
    −0.3
    −0.5
    −1.2
    −1.5
    V
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    400
    分钟。
    −60
    −60
    −10
    −1.0
    −10
    −1.0
    −10
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    µ
    A
    mA
    µ
    A
    mA
    µ
    A
    µ
    s
    µ
    s
    µ
    s
    *脉冲试验PW
    ≤
    350
    µ
    S，占空比
    ≤
    2%
    h
    FE
    分类
    记号
    h
    FE2
    M
    100至200
    L
    150至300
    K
    200至400
    典型特性（ TA = 25 ° C）
    °
    总功耗P
    T
    (W)
    案例温度T
    C
    (°C)
    案例温度T
    C
    (°C)
    2
    数据表D16125EJ1V0DS
    I
    C
    降额的dT （ ％ ）

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