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    2SJ244 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ244图片预览
    型号： 2SJ244
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 77 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ244的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ244的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ244的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ244的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ244的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ244的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ244
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    注2
    PCH
    总胆固醇
    TSTG
    注1
    价值
    –12
    ±7
    ±2
    ±4
    1
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    °C
    注意事项： 1， PW
    ≤
    100
    µs,
    占空比
    ≤
    10%
    2.价值的氧化铝陶瓷板（ 12.5
    ×
    20
    ×
    0.7 mm)
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    门源漏电流
    零栅极电压漏极电流
    门源截止电压
    静态漏极至源极通态电阻
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    身体流失二极管正向电压
    注意：
    3.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （关闭）
    R
    DS （ ON） 1
    R
    DS （ON ） 2
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    V
    DF
    民
    –12
    ±7
    —
    —
    –0.4
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    0.65
    0.5
    1.8
    100
    168
    35
    365
    1450
    —
    最大
    —
    —
    ±5
    –1
    –1.4
    0.9
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    7
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    V
    测试条件
    I
    D
    = -1毫安，V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±10 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±6
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = –8 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = –100
    µA,
    V
    DS
    = –5 V
    注3
    I
    D
    = -0.5 A，V
    GS
    = –2.5 V
    I
    D
    = -1 A，V
    GS
    = –4 V
    注3
    I
    D
    = -1 A，V
    DS
    = –5 V
    V
    DS
    = –5 V
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    I
    D
    = –0.2 A
    VIN = -4 V ，R
    L
    = 51
    Ω
    I
    F
    = 4 A
    注3
    注3
    注3
    , V
    GS
    = 0
    Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

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