欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK1341 参数 Datasheet PDF下载

2SK1341图片预览
型号: 2SK1341
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SK1341的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1341的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1341的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1341的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1341的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1341的Datasheet PDF文件第7页  
2SK1305
主要特点
功率与温度降额
30
100
30
10
3
1.0
0.3
0.1
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300
1,000
ea
Ar
is
(上)
th
S
在研发
D
在D通过
ti
RA TE
PE IMI
0 1
is
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
10
漏电流I
D
(A)
µ
s
0
10
20
µ
s
PW
1
D
C
(1
s
m
ms
=
O
pe
ra
t
io
n
10
)
ot
sh
10
(T
C
=
TA = 25°C
25
°
C
)
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
典型的传输特性
10
10 V
脉冲测试
6V
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
4V
8
12
6
3.5 V
8
4
3V
4
V
GS
= 2.5 V
2
T
C
= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
0
1
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
2.5
2.0
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
10 A
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 4 V
10 V
1.5
5A
1.0
0.2
0.1
0.05
0.5
0.5
I
D
= 2 A
0
2
4
6
8
10
1
2
5
10
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6