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2SK1318 参数 Datasheet PDF下载

2SK1318图片预览
型号: 2SK1318
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1318
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
反向漏电流I
DR
(A)
16
V
GS
= 10 V
15 V
脉冲测试
12
8
V
GS
= 0, –5 V
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
1.0
T
C
= 25°C
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
• θch -C
θch -C
= 3.57 ° C / W ,T
C
= 25°C
P
DM
PW
1
D = PW
T
0.03
0.01
10
µ
0.02
0.01
ULSE
P
1S
100
µ
1m
10 m
T
100 m
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
VIN
10%
波形
90%
R
L
50
VIN
10 V
V
DD
= 30 V
VOUT
10%
90%
90%
t
D(关闭)
10%
t
D(上)
t
r
t
f
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6