2SK1522 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1522
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 83 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1521 ， 2SK1522

反向漏电流 -

源极到漏极电压

100

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

= 0, –5 V

10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

= 25°C

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

θch -C

(t) =

(t)

• θch -C

θch -C

= 0.5 ℃/ W，T

= 25°C

D = PW

0.02

0.03

0.01

1嘘

0.01

吨PU

LSE

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

Ω

VIN

10 V

VIN

VOUT

10%

波形

90%

10%

90%

D（关闭）

= 30 V

D（上）

90%

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案