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2SK1637 参数 Datasheet PDF下载

2SK1637图片预览
型号: 2SK1637
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1637
主要特点
功率与温度降额
最高安全工作区
50
30
P沟(W)的
60
漏电流I
D
(A)
O
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
ð AR
S
e
(O一
n)
10
3
1
0.3
0.1
10
散热通道
40
µ
s
0
10
DC
O
PW
pe
20
TA = 25
°
C
1
10
ms
ra
TIO
ms
n
(T
(1 S
ho
C
=
25
t)
°
C
)
=
30
100
300 1,000
µ
s
0
50
100
150
0.05
1
3
10
外壳温度
T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
5
10 V
6V
5V
脉冲测试
5
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
3
4.5 V
漏电流I
D
(A)
4
4
3
2
4V
V
GS
= 3.5 V
0
10
20
30
40
50
2
1
1
T
C
= –25°C
25°C
75°C
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
脉冲测试
16
I
D
= 5 A
12
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.2
V
GS
= 10 V
15 V
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
8
2A
1A
0
4
8
12
16
20
4
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
0.5
1
2
5
10
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6