2SK1968 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1968
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：	局域网
文件页数/大小：	7 页 / 82 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1968

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

= 0, –5 V

10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

CH - C （ T） =

S（ T） •

CH - C

CH - C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C

P DM

0.02

0.03

0.01

笑

ULS

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

波形

90%

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

VIN

10 V

Ω

= 30 V

90%

吨D（上）

90%

吨D（关闭）

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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