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    2SK2315 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2315图片预览
    型号： 2SK2315
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 2101 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2315的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2315的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2315的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2315的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2315的Datasheet PDF文件第6页  
    2SK2315
    主要特点
    功率与温度降额
    信道损耗P沟** （W）的
    （ **在almina陶瓷板）
    1.6
    5
    100
    µs
    最高安全工作区
    I
    D
    (A)
    2
    1
    0.5
    PW
    1
    1.2
    =
    m
    s
    10
    m
    漏电流
    s
    D
    C
    0.8
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    O
    pe
    TIO
    ra
    n
    0.4
    TA = 25°C
    1次脉冲
    0.5 1
    2
    5
    10 20
    50 100 200
    0
    50
    100
    150
    200
    0.005
    0.2
    环境温度
    的Ta （℃）
    (
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    5
    5
    10 V
    5V
    4V
    3.5 V
    TA = 25°C
    脉冲测试
    3V
    典型的传输特性
    I
    D
    (A)
    4
    I
    D
    (A)
    4
    TC = 75℃
    25°C
    –25°C
    漏电流
    2
    2.5 V
    漏电流
    3
    3
    2
    1
    2V
    V
    GS
    = 1.5 V
    1
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    1.0
    脉冲测试
    TA = 25°C
    5
    2
    1
    0.5
    静态漏极至源极通电阻
    与漏电流
    0.8
    TA = 25°C
    25°
    脉冲测试
    0.6
    I
    D
    = 2 A
    V
    GS
    = 3 V
    0.4
    1A
    0.2
    0.5 A
    10 V
    0.2
    0.1
    0.05
    0.1
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页5

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