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    CY25BAH-8F-T13 参数 Datasheet PDF下载

    CY25BAH-8F-T13图片预览
    型号： CY25BAH-8F-T13
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    内容描述： N沟道IGBT的频闪闪光 [Nch IGBT for Strobe Flasher]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管双极性晶体管栅
    文件页数/大小： 5 页 / 177 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号CY25BAH-8F-T13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY25BAH-8F-T13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY25BAH-8F-T13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY25BAH-8F-T13的Datasheet PDF文件第5页  
    CY25BAH-8F
    应用实例
    V
    CM
    氙管
    V
    GG
    驱动电路
    C
    M
    +
    –
    4
    3
    2
    1
    R
    G（ ON）的
    10
    Ω
    R
    G（ OFF）
    68
    Ω
    5
    6
    7
    8
    控制信号
    GE
    Ω
    V
    CM
    I
    CP
    C
    M
    V
    GE
    推荐工作的最大操作
    条件
    条件
    330 V
    350 V
    130 A
    300
    µF
    2.85 V
    150 A
    400
    µF
    2.5 V
    关于使用注意事项
    1. IGBT具有MOS结构和其栅极由薄氧化硅绝缘。所以，请小心处理，以保护
    设备从静电电荷。
    在导通期间2的栅极驱动电压必须施加到满足的最大脉冲集电极电流的额定值。和
    关断期间的峰值反向栅极电流必须变得小于25毫安。 （一般地，当R
    G（ OFF）
    = 68Ω ，它是
    满足了。 ）
    3.驱动信号的接地必须连接到只销7 。如果发射极端子销5和6，其中一个大
    电流流被提供给装置，所述驱动信号发射器，所述装置可由于大电流而损坏
    自指定的栅极电压不施加到器件内部的IGBT 。
    4.使用寿命应在忍受充电电流5000张（我
    Xe
    ≤
    150答：全发光
    主电容器的状态）（℃
    M
    = 400
    µF)
    可承受5000次的重复放电。重复周期
    充分的发光状态下为3秒以上。
    施加到栅极 - 发射极电压5.总运行小时数，必须在5000小时内。
    Rev.1.00 ， Aug.20.2004 ， 4 3页

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