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FY8ABJ-03 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FY8ABJ-03
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内容描述: 三菱P沟道功率MOSFET的高速开关使用 [MITSUBISHI Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 172 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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三菱P沟道功率MOSFET
FY8ABJ-03
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
(典型值)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
–10
TCH = 25°C
I
D
= –8A
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
–40
源电流我
S
(A)
V
GS
= 0V
脉冲测试
–8
V
DS
=
–25V
–20V
–10V
–32
TC = 25°C
75°C
125°C
–6
–24
–4
–16
–2
–8
0
0
20
40
60
80
100
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
7
5
3
2
V
GS
= –10V
I
D
= –8A
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
–2.0
V
DS
= –10V
I
D
= -1mA
–1.6
–1.2
10
0
7
5
3
2
–0.8
–0.4
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
瞬态热阻抗Z
日( CH - 一)
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= -1mA
瞬态热阻抗
特征
10
2
7
5 D = 1.0
3
0.5
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.2
0.1
0.05
P
DM
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D
=
tw
T
1.2
10
1
1.0
10
0
0.8
0.6
10
–1
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 57
10
–3
23 57
10
–2
23 57
10
–1
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
2 3 57
10
2
2 3 57
10
3
脉冲宽度t
w
(s)
Sep.1998
沟道温度Tch ( ° C)