HAT1069C-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1069C-EL-E
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内容描述：	硅P沟道功率MOSFET电源开关 [Silicon P Channel Power MOSFET Power Switching]
分类和应用：	晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 98 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

HAT1069C

硅P沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G0164-0300

Rev.3.00

二○○七年十月一十九日

特点

•

低导通电阻

DS （ ON）

= 38 mΩ的典型值（ V

= –4.5 V)

•

高速开关

•

能够1.8 V门极驱动

•

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PWSF0006JA -A

（包名称： CMFPAK - 6 ）

指数波段

2 3 4 5

D D D D

1.源

2.漏

3.排水

4.漏

5.排水

6.门

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

–12

±8

–4

–16

–4

900

150

-55到+150

单位

°C

注意事项： 1， PW

≤

µs,

占空比

≤

2.当使用草环氧板。（ FR4 40

1.6 mm)

REJ03G0164-0300 Rev.3.00 2007年10月19日

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