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HAT2165H 参数 Datasheet PDF下载

HAT2165H图片预览
型号: HAT2165H
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 10 页 / 81 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2165H
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向
电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注: 4.脉冲测试
符号最小值
V
( BR ) DSS
30
典型值
2.5
3.4
100
5180
1200
380
0.5
33
15
7.1
13
65
60
9.5
0.81
40
最大
± 10
1
2.5
3.3
5.3
1.06
单位
V
V
µA
µA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 27.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.36
RG = 4.7
IF = 55 A,V
GS
= 0
Note4
IF = 55 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
= ±100
µA,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 27.5 A,V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 27.5 A,V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
Note4
V
( BR ) GSS
± 20
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
1.0
60
I
D
= 27.5 A,V
DS
= 10 V
Note4
Rev.5.00 , Apr.09.2003 , 10 3页