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R1LP0408CSP-5SC 参数 Datasheet PDF下载

R1LP0408CSP-5SC图片预览
型号: R1LP0408CSP-5SC
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内容描述: 4M SRAM( 512千字】 8位)的 [4M SRAM (512-kword 】 8-bit)]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 93 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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R1LP0408C -C系列
写周期
R1LP0408C-C
-5SC
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出写入结束活动
输出禁用输出高阻
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
OHZ
55
50
0
50
40
0
0
25
0
5
0
最大
20
20
-7LC
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
0
最大
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
1, 2, 7
3, 12
6
1, 2, 7
4
5
笔记
注:1。吨
HZ
, t
OHZ
和T
WHZ
被定义为时间,让输出达到开路条件
并没有提及输出电压电平。
2.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
3.在重叠( T A写操作
WP
)低CS #和低WE# 。一开始写在后面
的CS #转型变低或WE#变低。在CS #较早转型去写结束
高或WE#变为高电平。吨
WP
从写入的开始写的末端测量。
4. t
CW
从CS#测量要低到写的末尾。
5. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
6. t
WR
从前面的测定的WE#或CS#变为高电平,以写周期的结束。
7.在此期间, I / O引脚处于输出状态,使得反相器的输入信号
到输出必须不被应用。
8.如果同时发生的WE #低电平的跳变或之后WE#的CS #低转换
过渡时,输出保持在高阻抗状态。
9. Dout为的这个写周期中的数据写入相同的相位。
10. Dout为下一个地址的读取数据。
11.如果CS #为低,在此期间, I / O引脚的输出状态。因此,输入信号
的相位相反的输出不能被应用于它们。
12.在写周期OE #低固定,T
WP
必须满足下列方程,以避免存在的问题
数据总线争。吨
WP
t
DW
分+ T
WHZ
最大
Rev.2.00 , May.26.2004 , 12第8页