主动向下
混频器
产品特点
•集成的单片GaAs混频器模块包
•高可靠性
•降低制造成本
•更高的生产力
•超低噪声指数&低失真
MD2193
应用
•中继器
•基站
• RF子系统
封装类型： HY - 3
描述
所述IC从一个正极+ 5V电源消耗的电流145毫安操作而只需要2 ±2 dBm的
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
LO驱动器。
特定网络阳离子
RF
部分
频率
数
（兆赫）
（兆赫）
（兆赫）
（ dB）的
（ dBm的）
（ dB）的
频率
频率
收益
LO
IF
转变
OIP3
NF
（工作温度： -30 ° C〜 + 70 ° C）
产量
P1dB
（ dB）的
LO至IF
泄漏
（ dBm的）
RF至IF
泄漏
（ dBm的）
VDD
/
国际直拨电话
1900
MD2193
~
2200
1830
~
2130
70
10
27
8.5
10
-20
-25
5V
/
145mA
测试条件： TA = 25 ℃， VDD = 5V ，P
LO
2dBm的， IF = 70MHz时，
工作原理图
功能引脚布局
PIN号
6或10 ，和3
1
9
5
2, 4, 6, 7, 8, 11, 12
功能
Vdd+5V
输入
产量
LO输入
地
包装尺寸
（类型： HY- 3）
顶部
▪
电话： 82-31-250-5011
▪
rfsales@rfhic.com
SIDE
底部视图
▪
所有规格如有变更，恕不另行通知。
▪
6.02版本
RFHIC [ RFHIC ]
