主动向下
混频器
产品特点
MD2191
应用
•中继器
•基站
• RF子系统
•集成的单片GaAs混频器模块包
•高可靠性
•降低制造成本
•更高的生产力
•超低噪声指数&低失真
描述
所述IC从一个正极+ 5V电源消耗的电流145毫安操作而只需要2 ±2 dBm的
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
封装类型： HY - 2
LO驱动器。
特定网络阳离子
测试条件： TA = 25 ℃， VDD = 5V ，P
LO
2dBm的， IF = 70MHz时，
RF
部分
频率
数
（兆赫）
（兆赫）
（ dB）的
（ dBm的）
（ dB）的
（ dB）的
频率
收益
P1dB
IF
转变
IIP3
NF
产量
（工作温度： -30 ° C〜 + 70 ° C）
LO至IF
泄漏
（ dBm的）
RF至IF
泄漏
（ dBm的）
VDD / IDD
MD2191
1900~2050
2050~2200
50-200
10
9
17
17
8.5
8.5
10
10
-20
-25
5V/145mA
工作原理图
PIN号
1或14的
5
9
12
2,3,4,6,7,8,10,11,13
功能
Vdd+5V
在RF
罗在
IF OUT
地
包装尺寸
（型号： HY - 2 ）
1
14
1
14
12
5
9
7
8
顶部
▪
电话： 82-31-250-5011
▪
rfsales@rfhic.com
SIDE
建议模式
▪
所有规格如有变更，恕不另行通知。
▪
5.05版本
RFHIC [ RFHIC ]
