积极向上
混频器
产品特点
•集成的单片GaAs MESFET
•有源混频器模块包
•表面贴装混合型&卷轴包装
•无需匹配电路
•降低制造成本
•更高的生产力和可靠性
•超低噪声指数&低失真
•无铅/符合RoHS标准
MU0941
应用
•中继器
•基站
• RF子系统
封装类型： HY - 1
描述
该IC工作在积极的+ 5V电源消耗的电流130毫安而只有需要2 dBm的LO驱动器。
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
规格（典型值）。
IF
频率
（兆赫）
70
LO
频率
（兆赫）
600-800
RF
频率
（兆赫）
700-900
转变
收益
（ dB）的
10
（ dBm的）
26
OIP3
（工作温度： -40 ° C〜 + 80 ° C）
LO至RF
泄漏
（ dBm的）
-8
IF与RF
泄漏
（ dBm的）
-60
5V/130mA
VDD / IDD
工作原理图
3
IF输入
`
功能引脚布局
9
RF输出
PIN号
1或5的
3
7
9
功能
Vdd+5V
在IF
罗在
RF OUT
地
7
LO输入
2,4,6,8,10
包装尺寸
（类型： HY- 1）
顶部
SIDE
建议模式
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版本5.5
RFHIC [ RFHIC ]
