积极向上
混频器
产品特点
•集成的单片GaAs MESFET
•有源混频器模块包
•表面贴装混合型&卷轴包装
•无需匹配电路
•降低制造成本
•更高的生产力和可靠性
•超低噪声指数&低失真
•无铅/符合RoHS标准
MU2141
应用
•中继器
•基站
• RF子系统
封装类型： HY - 1
描述
所述IC从一个正极+ 5V电源消耗的电流125毫安操作而只需要2 ±2 dBm的
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
LO驱动器。
特定网络阳离子
IF
频率
（兆赫）
70
LO
频率
（兆赫）
1830-2080
2080-2130
RF
频率
（兆赫）
1900-2150
2150-2200
转变
收益
（ dB）的
5
5
（ dBm的）
25.5
24.5
OIP3
（工作温度： -30 ° C〜 + 70 ° C）
LO至RF
泄漏
（ dBm的）
-15
-15
IF与RF
泄漏
（ dBm的）
-70
-70
5V/125mA
5V/125mA
VDD / IDD
工作原理图
3
IF输入
`
功能引脚布局
9
RF输出
PIN号
1或5的
3
7
9
功能
Vdd+5V
在IF
罗在
RF OUT
地
7
LO输入
2,4,6,8,10
包装尺寸
（类型： HY- 1）
顶部
▪
电话： 82-31-250-5011
▪
rfsales@rfhic.com
SIDE
建议模式
▪
所有规格如有变更，恕不另行通知。
▪
6.05版
RFHIC [ RFHIC ]
