积极向上
混频器
产品特点
•集成的单片GaAs MESFET
•有源混频器模块包
•表面贴装混合型&卷轴包装
•无需匹配电路
•降低制造成本
•更高的生产力和可靠性
•超低噪声指数&低失真
MU2341
应用
•中继器
•基站
• RF子系统
描述
所述IC从一个正极+ 5V电源消耗的电流125毫安操作而只需要1 ±2 dBm的
在MCM与可靠，成熟的GaAs MESFET技术来实现。
LO驱动器。
特定网络阳离子
（ IF70MHz ） （典型值）。
IF
频率
（兆赫）
50 ~ 200
LO
频率
（兆赫）
2130~2430
RF
频率
（兆赫）
2200~2450
2450~2500
转变
收益
（ dB）的
5
4.5
OIP3
（ dBm的）
24
20
OUT
P1dB
（ dBm的）
8
（工作温度： -30 ° C〜 + 70 ° C）
LO至RF
泄漏
（ dBm的）
-15
IF与RF
泄漏
（ dBm的）
-65
VDD
/ IDD
5V
/125mA
工作原理图
3
IF输入
`
功能引脚布局
9
RF输出
PIN号
1或5的
3
7
9
功能
Vdd+5V
在IF
罗在
RF OUT
地
7
LO输入
2,4,6,8,10
尺寸（mm）
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
建议模式
▪
电话： 82-31-250-5011
▪
rfsales@rfhic.com
▪
所有规格如有变更，恕不另行通知。
▪
8.01版本
RFHIC [ RFHIC ]
