FPD1050
功率0.75W
pHEMT制
FPD1050
0.75W功率pHEMT制
封装形式：裸模
产品说明
在FPD1050是的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管
器（ pHEMT制） ，采用了0.25μmx1050μm肖特基势垒门，由高定义
分辨率步进型光刻。双凹栅结构
最小化寄生效应以优化性能。在外延结构和流程 -
ING已经经过优化，可靠的高功率应用。该FPD1050也
可以在低成本的塑料SOT89封装。
特点
28.5dBm线性输出
功率为12 GHz
11分贝功率增益为12GHz的
14分贝最大稳定增益
12GHz
41dBm Ø
IP3
45％的功率附加效率
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
的InP HBT
RF MEMS
LDMOS
应用
窄带和宽带
高性能放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压
高效率输出扩增
fiers
中程数字广播
变送器
参数
P
1dB
增益压缩
S21 / S12 （ MSG）的
功率增益为P
1dB
(G
1dB
)
PAE
OIP
3
饱和漏源电流
（ IDSS ）
最大漏源电流
（最大电流）
跨导（GM ）
门源漏电流（ IGSO ）
夹断电压（V
P
)
栅源击穿电压
(V
BDGS
)
栅极 - 漏极击穿电压
(V
BDGD
)
热电阻（ θJC ） *
分钟。
27.5
10.0
规范
典型值。
28.5
14.0
11.0
45
39
41
马克斯。
单位
DBM
dB
dB
%
DBM
DBM
条件
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
, P
OUT
=P
1dB
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
相匹配的最佳功率，调整为最佳的IP
3
V
DS
=1.3V, V
GS
=0V
V
DS
=1.3V, V
GS
≈+1V
V
DS
=1.3V, V
GS
=0V
V
GS
=-5V
V
DS
= 1.3V ，我
DS
=1mA
I
GS
=3mA
I
GD
=3mA
V
DS
>6V
260
325
520
280
15
|1.0|
|14.0|
|16.0|
45
385
mA
mA
ms
μA
V
V
V
° C / W
|12.0|
|14.5|
*注：t
环境
=测量在f = 12GHz的22 ° C， RF规格使用CW信号。
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