FPD1500-000 参数 Datasheet PDF下载

FPD15001W

功率pHEMT制

FPD1500

1W功率pHEMT制

封装形式：裸模

产品说明

在FPD1500是的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管

器（ pHEMT制） ，采用了0.25μmx1500μm肖特基势垒门，高定义 -

分辨率步进型光刻。凹栅结构最小化

寄生效应以优化性能。外延结构及加工有

经过优化，可靠的高功率应用。该FPD1500也可

在低成本的塑料SOT89和DFN封装。

特点

为29dBm的线性输出功率

在12GHz的

9分贝功率增益为12GHz的

12.5分贝最大稳定增益

12GHz

41dBm Ø

IP3

35％的功率附加效率

优化技术

Matching®应用

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

的InP HBT

RF MEMS

LDMOS

应用

窄带和宽带

高性能放大器

卫星通信上行链路发射器

PCS /蜂窝低压

高效率输出扩增

fiers

中程数字广播

变送器

参数

功率为P

1dB

增益压缩

最大稳定增益（S21 / S12）

功率增益为P

1dB

PAE

OIP

3

从15分贝5dB的下方P

1dB

饱和漏源电流（I

DSS

)

最大漏源电流

(I

最大

)

跨

门源漏电流（I

GSO

)

夹断电压（V

P

)

栅源击穿电压

(V

BDGS

)

栅极 - 漏极击穿电压

(V

BDGD

)

热电阻（ θJC ） *

分钟。

28.5

11.5

8.0

规范

典型值。

30.0

12.5

9.0

45

41

43

马克斯。

单位

DBM

dB

dB

%

DBM

DBM

条件

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

, P

OUT

=P

1dB

V

DS

= 8V ，我

DS

=50% I

DSS

相匹配的最佳功率，调整为最佳的IP

3

V

DS

=1.3V, V

GS

=0V

V

DS

=1.3V, V

GS

≈+1V

V

DS

=1.3V, V

GS

=0 V

V

GS

=-5V

V

DS

= 1.3V ，我

DS

=1.5mA

I

GS

=1.5mA

I

GD

=1.5mA

V

DS

>6V

375

465

750

400

1

550

mA

mA

ms

15

|1.3|

μA

V

V

V

° C / W

|0.7|

|12.0|

|14.5|

|1.0|

|14.0|

|16.0|

42

注：t

环境

=测量在f = 12GHz的22 ° C， RF规格使用CW信号。

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