FPD22501.5W
功率pHEMT制
FPD2250
1.5W功率pHEMT制
封装形式：裸模
产品说明
在FPD2250是的AlGaAs /砷化铟镓假晶高电子迁移率晶体管
器（ pHEMT制） ，采用了0.25μmx2250μm肖特基势垒门，由高定义
分辨率步进型光刻。凹栅结构最小化
寄生效应以优化性能。外延结构及加工有
经过优化，可靠的高功率应用。该FPD2250也可
在低成本的塑料SOT89封装。
特点
32dBm的线性输出功率
在12GHz的
7.5分贝功率增益为12GHz的
42dBm Ø
IP3
45％的功率附加效率
应用
优化技术
Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
的InP HBT
RF MEMS
LDMOS
窄带和宽带
高性能放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压
高效率输出扩增
fiers
中程数字广播
变送器
参数
电气规格
P
1dB
增益压缩
最大稳定增益（S21 / S12）
功率增益为P
1dB
(G
1dB
)
功率附加效率（ PAE ）
OIP
3
饱和漏源电流（I
DSS
)
最大漏源电流
(I
最大
)
跨导（G
M
)
门源漏电流（I
GSO
)
夹断电压（V
P
)
栅源击穿电压
(V
BDGS
)
栅极 - 漏极击穿电压
(V
BDGD
)
热电阻（ θJC ）
分钟。
31.0
8.0
6.5
规范
典型值。
32.0
9.0
7.5
45
40
42
马克斯。
单位
DBM
dB
dB
%
DBM
DBM
条件
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
, P
OUT
=P
1dB
V
DS
= 8V ，我
DS
=50% I
DSS
相匹配的最佳功率，调整为最佳的IP
3
V
DS
=1.3V, V
GS
=0V
V
DS
=1.3V, V
GS
≈+1V
V
DS
=1.3V, V
GS
=0V
V
GS
=-5V
V
DS
= 1.3V ，我
DS
=2.25mA
I
GS
=2.25mA
I
GD
=2.25mA
V
DS
>6V
560
700
1125
600
10
|1.0|
825
mA
mA
ms
μA
V
V
V
° C / W
|12.0|
|14.5|
|14.0|
|16.0|
30
注：t
环境
=测量在f = 12GHz的22 ° C， RF规格使用CW信号。
RF MICRO DEVICES® ， RFMD® ，优化科技Matching® ，启用无线连接™ ，的PowerStar® ， POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年， RF Micro Devices公司
冯A1 DS090612
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 4
RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
