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NBB-300-E 参数 Datasheet PDF下载

NBB-300-E图片预览
型号: NBB-300-E
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内容描述: 级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的 [CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 12 页 / 284 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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NBB-300
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
符合RoHS &无铅产品
封装形式:微-X , 4针,陶瓷
特点
可靠的,低成本的HBT设计
12.0分贝增益, + 13.8dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.3dBm@6.0GHz和
+11.2dBm@14.0GHz
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。
利用
RF IN 1
GND
4
标记 - N3
3 RF OUT
应用
窄宽带商业用
CIAL和军用无线电设计
线性和饱和放大器
增益级或驱动放大器
对于MWRadio /光学设计
( PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / Cellu-
LAR / DWDM )
2
GND
功能框图
产品说明
该NBB -300可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一种低成本,
通用射频和微波放大高性能的解决方案
需要。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT专有MMIC的设计,
提供无与伦比的性能,小信号的应用。与设计
外部偏置电阻,该NBB -300提供了灵活性和稳定性。该NBB -300是
封装在一个低成本,表面贴装陶瓷封装,提供方便assem-的
布莱高容量磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或可
芯片( NBB - 300 -D )的形式,其中的黄金金属化是理想的混合电路
designs.surface贴装陶瓷封装,提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或芯片可用( NBB-
300 -D )的形式,其中的黄金金属化是理想的混合电路的设计。
封装图
45°
0.055
(1.40)
单位:
英寸
(mm)
N3
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
订购信息
NBB-300
NBB-300-T1
NBB-300-D
NBB-300-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的
磁带&卷, 1000件
NBB -300芯片的形式( 100件最小起订)
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
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支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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