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NBB-302 参数 Datasheet PDF下载

NBB-302图片预览
型号: NBB-302
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内容描述: 级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的 [CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 319 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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NBB-302
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
符合RoHS &无铅产品
封装形式: MPGA ,蝴蝶结, 3×3 ,陶瓷
特点
可靠的,低成本的HBT设计
12.0分贝增益, + 13.7dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.0dBm@6.0GHz和
+11.0dBm@14.0GHz
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。
利用
销1
指标
RF OUT
8
7
6
5
9
4
在RF
1
2
3
应用
窄宽带商业用
CIAL和军用无线电设计
线性和饱和放大器
增益级或驱动放大器
对于MWRadio /光学设计
( PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / Cellu-
LAR / DWDM )
功能框图
产品说明
该NBB - 302可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一种低成本,
通用射频和微波放大高性能的解决方案
需要。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT专有MMIC的设计,
提供无与伦比的性能,小信号的应用。与设计
外部偏置电阻,该NBB -302提供了灵活性和稳定性。该NBB - 302
封装在一个低成本,表面贴装陶瓷封装,提供方便assem-的
布莱高容量磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或可
芯片( NBB - 300 -D )的形式,其中的黄金金属化是理想的混合电路
设计。
订购信息
NBB-302
NBB-302-T1
NBB-302-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的
磁带&卷, 1000件
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
转A6 DS060124
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
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