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NBB-312-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NBB-312-T1
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内容描述: 级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的 [CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz]
分类和应用: 放大器射频微波
文件页数/大小: 8 页 / 311 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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NBB-312
级联宽带
砷化镓MMIC放大器直流到12GHz的
符合RoHS &无铅产品
封装形式: MPGA ,蝴蝶结, 3×3 ,陶瓷
特点
可靠的,低成本的HBT
设计
12.5分贝增益
为+ 15.8dBm的P1dB高在
6GHz
单电源操作
50Ω I / O匹配的高
使用频率
销1
指标
RF OUT
8
7
6
5
9
4
在RF
1
2
3
应用
窄宽带的COM
商用和军用无线电
设计
线性和饱和Amplifi-
ERS
增益级或驱动程序Amplifi-
ERS的MWRadio /光学
设计
( PTP / PMP / LMDS / UNII / VSAT
/ WLAN /蜂窝/ DWDM )
功能框图
产品说明
该NBB - 312可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一个低
成本,通用射频和微波的高性能解决方案
放大的需求。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT亲
专有的MMIC设计,对于小显,提供卓越的性能
最终的应用程序。与外部偏置电阻,该NBB -312设计
提供了灵活性和稳定性。该NBB -310封装在一个低成本,
表面贴装陶瓷封装,提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一1000或3000可
计件每卷数量。连接器连接评估板设计opti-
而得到优化用于高频率也可用于表征目的。
订购信息
NBB-312
NBB-312-T1
NBB-312-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流到12GHz的
磁带&卷, 1000件
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES® , RFMD® ,优化科技Matching® ,启用无线连接™ ,的PowerStar® , POLARIS ™ TOTAL RADIO ™和UltimateBlue ™是RFMD ,LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
转A5 DS060124
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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