NBB-400
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至8GHz
符合RoHS &无铅产品
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
特点
可靠的，低成本的HBT
设计
15.5分贝增益， + 15.0dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.6dBm@6.0GHz
单电源操作
化
50Ω I / O匹配的高
频率。利用
GND
4
标记 - N4
RF IN 1
3 RF OUT
2
GND
应用
窄宽带的COM
商用和军用无线电
设计
线性和饱和Amplifi-
ERS
增益级或驱动程序Amplifi-
ERS的MWRadio /光学
设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / CEL-
细胞性/ DWDM ）
功能框图
产品说明
该NBB -400可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是
低成本，通用射频和微型高性能的解决方案
波放大的需求。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT
专有的MMIC设计，提供无与伦比的性能，小型
信号应用。与外部偏置电阻，该NBB -400设计
提供了灵活性和稳定性。该NBB -400封装在一个低成本，
表面贴装陶瓷封装，提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或芯片可
（ NBB - 400 -D ）的形式，其中的黄金金属化是理想的混合电路
设计。
订购信息
NBB - 400Cascadable宽带的GaAs MMIC放大器DC至8GHz
NBB-400
NBB-400-T1
NBB-400-D
NBB-400-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器DC至8GHz
磁带&卷， 1000件
NBB -400芯片的形式（ 100件最小起订）
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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