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NBB-402 参数 Datasheet PDF下载

NBB-402图片预览
型号: NBB-402
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内容描述: 级联宽带的GaAs MMIC放大器DC至8GHz [CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 188 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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NBB-402
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
•窄和宽带商业和
军用无线电设计
•线性和饱和放大器
产品说明
该NBB - 402可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本,为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50
Ω
增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计,提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -402提供了灵活性和稳定性。该
NBB -402封装在一个低成本,表面安装
陶瓷封装,提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。
2.94分钟
3.28最大
销1
指标
0.025分
0.125 MAX
销1
指标
RF OUT
在RF
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至8GHz
•增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计( PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM )
0.50 NOM
0.50 NOM
1.00分钟
1.50最大
N4
盖ID
1.70分钟
1.91最大
2.39分钟
2.59最大
0.38 NOM
0.37分钟
0.63最大
0.98分钟
1.02最大
以毫米为单位所有尺寸
注意事项:
1.焊盘共面内的±0.025毫米。
2.盖子会集中相对于前侧的金属化用的±0.13毫米容差。
3.标记包括两个字符和点到基准引脚1 。
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: MPGA ,蝴蝶结, 3×3 ,陶瓷
特点
•可靠,低成本的HBT设计
• 15.0分贝增益, + 15.8dBm的P1dB @ 2GHz的
•高P1dB为+15.4dBm@6.0GHz的
•单电源工作
•50Ω I / O相匹配的高频率。利用
销1
指标
1
RF OUT
8
7
6
5
9
4
在RF
2
3
订购信息
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
8GHz
NBB-402-T1
磁带&卷, 1000件
NBB-402-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话:( 336 ) 664 1233
桑代克路7628
传真:( 336 ) 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
http://www.rfmd.com
NBB-402
功能框图
转A6 060124
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