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NBB-X-K1 参数 Datasheet PDF下载

NBB-X-K1图片预览
型号: NBB-X-K1
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内容描述: 级联宽带的GaAs MMIC放大器DC至4GHz [CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 4GHz]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 10 页 / 218 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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NBB-500
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
•窄和宽带商业和
军用无线电设计
•线性和饱和放大器
产品说明
该NBB -500可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本,为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计,提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -500提供了灵活性和稳定性。该
NBB -500封装在一个低成本,表面安装
陶瓷封装,提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是包装还是芯片( NBB - 500 -D )的形式,其中黄金
金属化是理想的混合电路的设计。
45°
0.055
(1.40)
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至4GHz
•增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计( PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM )
单位:
英寸
(mm)
N5
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式:微-X , 4针,陶瓷
特点
•可靠,低成本的HBT设计
• 19.0分贝增益, + 12.3dBm的P1dB @ 2GHz的
•高P1dB为+14.0dBm@6.0GHz的
GND
4
标记 - N5
•单电源工作
•50Ω I / O相匹配的高频率。利用
RF IN 1
3 RF OUT
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
4GHz
NBB -500 -T1或-T3Tape &卷, 1000或3000件(分别)
NBB-500-D
NBB -500芯片的形式( 100件最小起订)
NBB-500-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话:( 336 ) 664 1233
桑代克路7628
传真:( 336 ) 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
http://www.rfmd.com
NBB-500
功能框图
转A5 050414
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