NLB-300Cas-
cadable
宽带
砷化镓MMIC
放大器的直流
10GHz
NLB-300
级联宽带
砷化镓MMIC放大器的直流到10GHz
符合RoHS &无铅产品
封装形式：微-X ， 4针，塑料
3
特点
可靠的，低成本的HBT
设计
13.0分贝增益， + 11.1dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.1dBm@6.0GHz和
+12.7dBm@10.0GHz
单电源操作
化
50Ω I / O匹配的高
频率。利用
通用
放大器（LNA ，
杂多酸，线性AMPS ）
GND
4
标记 - N3
RF IN 1
3 RF OUT
2
GND
应用
窄宽带的COM
商用和军用无线电
设计
线性和饱和Amplifi-
ERS
增益级或驱动程序Amplifi-
ERS的MWRadio /光学
设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / CEL-
细胞性/ DWDM ）
功能框图
产品说明
在NLB -300可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是一个低
成本，通用射频和微波的高性能解决方案
放大的需求。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT亲
专有的MMIC设计，对于小显，提供卓越的性能
最终的应用程序。与外部偏置电阻，则NLB -300设计
提供了灵活性和稳定性。在NLB -300封装在一个低成本，
表面贴装塑料封装，提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。
订购信息
NLB - 300Cascadable宽带的GaAs MMIC放大器的直流到10GHz
NLB-300
NLB-300-T1
NLB-300-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器的直流到10GHz
磁带&卷， 1000件
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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