NLB-310
0
典型应用
•窄和宽带商业和
军用无线电设计
•线性和饱和放大器
产品说明
在NLB -310可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻器的NLB -310提供了灵活性和稳定性。该
NLB - 310封装在一个低成本，表面贴装塑料
封装，提供易于装配的高容量
带与卷筒的要求。
符号
级联宽带
砷化镓MMIC放大器的直流到10GHz
•增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
B
MILLIMETERS
分钟。
喃。
马克斯。
分钟。
英寸
喃。马克斯。
D
4M
A
C
N5
1
2
3
4
5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
0.535 REF 。
2.39 2.54 2.69
0.436 0.510 0.586
2.19 2.34 2.49
1.91 2.16 2.41
1.32 1.52 1.72
0.10 0.15 0.20
0.535 0.660 0.785
0.05 0.10 0.15
0.65 0.75 0.85
0.85 0.95 1.05
4.53 4.68 4.83
4.73 4.88 5.03
0.021 REF 。
0.094 0.100 0.106
0.017 0.020 0.023
0.086 0.092 0.098
0.075 0.085 0.095
0.052 0.060 0.068
0.004 0.006 0.008
0.021 0.026 0.031
0.002 0.004 0.006
0.025 0.029 0.033
0.033 0.037 0.041
0.178 0.184 0.190
0.186 0.192 0.198
E
6
0.08 S
飞机座位
注：所有尺寸以毫米为单位，并且
以英寸为单位的尺寸仅供参考。
F
1J
G
2
H
压力表飞机
S
0.1
L3
Kx3
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式：微-X ， 4针，塑料
特点
•可靠，低成本的HBT设计
• 12.7分贝增益， + 12.6dBm的P1dB @ 2GHz的
•高P1dB为+14.9dBm@6.0GHz和
GND
4
标记 - N6
+13.1dBm@10.0GHz
•单电源工作
•50Ω I / O相匹配的高频率。利用
RF IN 1
3 RF OUT
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
10GHz
NLB -310 -T1或-T3Tape &卷， 1000或3000件（分别）
NLB-310-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NLB-310
功能框图
转A6 040409
4-139
RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
