RF1200
SPDT开关
符合RoHS &无铅产品
封装形式： QFN ， 6引脚， 2×2
特点
低插入损耗0.3分贝在
1GHz
高隔离26分贝为1GHz
低控制电压为2.6V
5.0V
谐波H2 ：
-80dBc@1GHz
砷化镓pHEMT工艺
RF1 1
GND 2
RF2 3
6 VRF1
5 RFC
4 VRF2
应用
蜂窝手机应用
天线调谐应用
多模式GSM， W-CDMA的
应用
的IEEE802.11b / g的无线局域网应用程序
阳离子
GSM / GPRS / EDGE开关
应用
蜂窝基础设施应用程序
阳离子
功能框图
产品说明
的RF1200是一个单刀双掷（SPDT）的高功率开关spe-
cially设计处理GSM功率应用。该RF1200特点
低插入损耗，低控制电压，高线性度，并很好的har-
首一特色。它是制作与0.5微米的GaAs pHEMT工艺，
并封装在一个非常紧凑的2mmx2mm ， 6针，无引线QFN封装
年龄。
订购信息
RF1200SPDT开关
RF1200
RF1200PCBA-410
SPDT开关
完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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