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RF1450 参数 Datasheet PDF下载

RF1450图片预览
型号: RF1450
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内容描述: 符合RoHS和无铅产品封装形式: QFN , 16引脚, 3mmx3mm [RoHS Compliant & Pb-Free Product Package Style: QFN, 16-pin, 3mmx3mm]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 395 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF1450
SP4T开关
符合RoHS &无铅产品
封装形式: QFN , 16引脚, 3mmx3mm
VBAT
GND
14
pHEMT制
开关
RF2
特点
低插入损耗0.4分贝@
1GHz
高隔离29分贝@ 1GHz的
V
DD
= 2.5V至2.85V ,下降到
1.8V与精简规范
系统蒸发散
高线性度IMD <-110dBm
谐波: -75dBc @ 1GHz的
砷化镓pHEMT工艺
GND 1
VDD 2
CTRL2 3
4 CTRL1
16
15
13
12 GND
11 ANT
10 GND
CMOS
解码器
RF1
9 GND
8
RF3
5
GND
6
RF4
7
GND
应用
蜂窝手机应用
多模式GSM, W-CDMA的
应用
GSM / GPRS / EDGE开关
应用
蜂窝基础设施应用程序
阳离子
功能框图
产品说明
的RF1450是一个单刀四掷( SP4T )高功率开关特别
设计处理GSM功率应用。卓越的线性性能
曼斯由RF1450实现使其非常适用于多模
GSM / EDGE / W-CDMA中的应用程序。此外, RF1450包括英特
磨碎的解码逻辑,只允许两个控制线需要开关
控制权。的RF1450封装在一个非常紧凑3mmx3mmx0.9mm ,
16引脚无引线QFN封装。
订购信息
RF1450SP4T开关
RF1450
RF1450PCBA-410
SP4T开关
完全组装的评估板
最佳技术Matching®应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
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标志着由Bluetooth SIG公司,美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称,商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 © 2006年, RF Micro Devices公司
冯A0 DS070531
7628桑代克路,北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在( +1) 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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