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RF2172PCBA411 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RF2172PCBA411
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内容描述: ISM频段3.6V , 250mW的放大器,具有模拟增益控制 [ISM BAND 3.6V, 250mW AMP WITH ANALOG GAIN CONTROL]
分类和应用: 放大器ISM频段
文件页数/大小: 14 页 / 333 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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RF2172
0
典型应用
蓝牙
TM
PA
• 2.4GHz至2.5GHz ISM频带系统
•为902MHz到928MHz的ISM频段系统
产品说明
该RF2172是一个中等功率的高效率功放
IC瞄准3.6V手持系统。该设备是制造
factured一种先进的砷化镓Heterojunc-
化双极晶体管( HBT )工艺,并已
专为使用在2.45GHz的最终RF放大器
蓝牙的应用和跳频/直
序列扩频无绳电话或其他
应用程序在为902MHz到928MHz的ISM频段。该
器件封装在一个紧凑的4mmx4mm QFN 。该
器件具有模拟增益控制来优化传输
功率,同时在便携式设备延长电池使用寿命
需要高达100mW的发射功率在天线
端口。
蓝牙
由Bluetooth SIG , Inc.是一家拥有注册商标,并许可
以RF Micro Devices公司
0.10 C B
-B-
ISM频段3.6V , 250MW放大器,
模拟增益控制
• 3.6V扩频无绳电话
- 便携式电池供电设备
•扩频系统
4.00
0.10 C B
2 PLCS
3.75
2 PLCS
2.00
0.80
典型值
2
A
1.60
2 PLCS
3.75
0.75
0.50
索引区
尺寸(mm) 。
1.50
平方米。
4.00
0.10 C A
2 PLCS
0.45
0.28
3.20
2 PLCS
2.00
0.10 C A
2 PLCS
阴影针脚是铅1 。
12°
最大
0.05
0.00
0.10 M C A B
1.00
0.90
0.75
0.65
C
0.05
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式: QFN , 16引脚, 4x4的
特点
•典型为23.5dBm输出功率
• 0dB至28分贝可变增益
• 45 %的效率,在最大输出
•板载Power Down模式
• 2.4GHz至2.5GHz操作
•为902MHz到928MHz的运行
GND
GND
GND
14
1
GND 2
RF IN 3
GND 4
5
GND
16
15
13
12 RF OUT
11 RF OUT
BIAS
6
VPD
7
APC
8
GND
GND
10 GND
9
GND
VCC
订购信息
RF2172
ISM频段3.6V , 250mW的放大器与模拟GAIN(增益)
TROL
RF2172PCBA411完全组装的评估板2.4至2.5GHz
RF2172PCBA410完全组装的评估板908到928MHz的
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
功能框图
转A11 030729
2-1