RF2173 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RF2173
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内容描述：	3V GSM功率放大器 [3V GSM POWER AMPLIFIER]
分类和应用：	放大器功率放大器GSM
文件页数/大小：	10 页 / 140 K
品牌：	RFMD [ RF MICRO DEVICES ]

RF2173

典型应用

• 3V GSM蜂窝手机

• 3V双频/三频手机

• GPRS兼容

•商业和消费系统

- 便携式电池供电设备

3V GSM功率放大器

功率放大器

产品说明

该RF2173是一种高功率，高效率电源扩增

费里的模块，提供高性能的GSM或GPRS

应用程序。该设备采用先进的制造

的GaAs HBT工艺制造，并已被设计为用作

在GSM中的最终RF放大器手持式数字蜂窝

设备和其他应用程序在800MHz至

950MHz的频段。板载电源控制提供了

70分贝的控制范围与模拟电压输入，并

提供掉电与待机操作逻辑"low"

化。该设备是自包含50Ω输入和

输出可以很容易地匹配，以获得最佳的动力

和效率特征。的RF2173可用于

加上RF2174双频操作。该

器件采用超小塑料封装， MIN-

imizing所需的电路板空间。

最佳技术Matching®应用

硅BJT

姒必-CMOS

3.75

0.75

0.50

0.45

0.28

0.80

典型值

3.75

1.60 4.00

12°

1.50 SQ

索引区3

3.20

4.00

1.00

0.90

0.75

0.65

注意事项：

1罩针脚是铅1 。

尺寸适用于镀金端子之间测量

0.10毫米和0.25毫米的终端小费。

0.05

0.00

尺寸（mm）。

终端＃ 1标识符和终端编号约定

3 ，应符合JESD 95-1 SPP- 012 。终端＃1的详细信息

标识符是可选的，但必须位于该区域之内

表示。该标识符可以是一个模具或标记

功能。

引脚1和9的融合。

封装翘曲： 0.05最高。

砷化镓HBT

的SiGe HBT

VCC2

封装形式： LCC ， 16引脚， 4x4的

砷化镓MESFET

硅CMOS

特点

•单2.7V至4.8V电源电压

• + 36dBm的输出，在3.5V电源

• 32分贝增益与模拟增益控制

• 56 ％的效率

GND

GND2

在RF

GND1

VCC1

RF OUT

2F0

• 800MHz至950MHz的运行

RF OUT

•支持GSM和E -GSM

APC1

APC2

VCC

GND

订购信息

RF2173

RF2173 PCBA

3V GSM功率放大器

完全组装的评估板

功能框图

RF Micro Devices公司

桑代克路7628

北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA

电话：（ 336 ） 664 1233

传真：（ 336 ） 664 0454

http://www.rfmd.com

转A4 010914

2-221

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