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型号: RF2174PCBA
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内容描述: 3V DCS功率放大器 [3V DCS POWER AMPLIFIER]
分类和应用: 放大器功率放大器分布式控制系统DCS
文件页数/大小: 12 页 / 132 K
品牌: RFMD [ RF MICRO DEVICES ]
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初步
RF2174
3V DCS功率放大器
2
典型应用
• 3V DCS1800 ( PCN )蜂窝手机
• 3V DCS1900 ( PCS )蜂窝手机
• 3V双频/三频手机
•商业和消费系统
- 便携式电池供电设备
• GPRS兼容
2
功率放大器
产品说明
该RF2174是一种高功率,高效率电源扩增
费里的模块,提供高性能的GSM或GPRS
应用程序。该设备采用先进的制造
的GaAs HBT工艺制造,并已被设计为用作
在DCS1800 / 1900手持式数字最终RF放大器
蜂窝设备和在其它应用中
1700MHz至2000MHz的频段。板载电源控制
提供了以上的控制范围65分贝与模拟电压
年龄的输入,并提供功率来与一个逻辑"low"
待机操作。该设备是自包含50Ω
输入和输出可以容易地匹配,以获得opti-
妈妈功率和效率的特点。该RF2174
可以用RF2173双频一起使用
操作。该器件采用超小型塑料
抽动包,最大限度地减少所需的电路板空间。
最佳技术Matching®应用
硅BJT
姒必-CMOS
2
3.75
0.75
0.50
0.45
0.28
0.80
典型值
1
1
3.75
+
1.60 4.00
12°
1.50 SQ
索引区3
3.20
4.00
1.00
0.90
0.75
0.65
注意事项:
1罩针脚是铅1 。
2
尺寸适用于镀金端子之间测量
0.10毫米和0.25毫米的终端小费。
0.05
0.00
终端# 1标识符和终端编号约定
3 ,应符合JESD 95-1 SPP- 012 。终端#1的详细信息
标识符是可选的,但必须位于该区域之内
表示。该标识符可以是一个模具或标记
功能。
4
5
引脚1和9的融合。
封装翘曲: 0.05最高。
ü
砷化镓HBT
的SiGe HBT
VCC2
VCC2
封装形式: LCC , 16引脚, 4x4的
砷化镓MESFET
硅CMOS
特点
•单2.7V至4.8V电源电压
• + 33dBm的输出,在3.5V电源
• 27分贝增益与模拟增益控制
• 51 %的效率
VCC2
14
GND
1
AT_EN
在RF
GND1
2
3
4
5
VCC1
16
15
13
12
11
10
RF OUT
2F0
• 1700MHz至1950MHz运行
RF OUT
RF OUT
•支持DCS1800和PCS1900
6
APC1
7
APC2
8
VCC
9
GND
订购信息
RF2174
RF2174 PCBA
3V DCS功率放大器
完全组装的评估板
功能框图
RF Micro Devices公司
桑代克路7628
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 , USA
电话:( 336 ) 664 1233
传真:( 336 ) 664 0454
http://www.rfmd.com
转A6 010720
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